廖凌宏

作品数:1被引量:2H指数:1
导出分析报告
供职机构:厦门大学更多>>
发文主题:SI合金层硅衬底加热温度小尺寸更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-1
视图:
排序:
Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光被引量:2
《材料科学与工程学报》2009年第1期146-149,共4页廖凌宏 周志文 李成 陈松岩 赖虹凯 余金中 王启明 
国家重点基础研究发展计划资助项目2007CB613400;国家自然科学基金资助项目(60676027,50672079)
由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-xGex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-yGey(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上。在实验上,采用300℃生长的Ge...
关键词:低维无机非金属材料 量子阱 光致发光谱 弛豫缓冲层 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部