罗希

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0.25μm介质栅与非介质栅PHEMT的性能比较分析
《半导体技术》2009年第7期658-660,共3页付兴昌 罗希 崔玉兴 
为提高PHEMT性能,从改进PHEMT结构出发,采用介质栅器件结构,研制了0.25μm介质栅PHEMT器件,并与Win公司生产的0.25μm非介质栅器件的频率特性、开态击穿和功率特性进行了比较。介质栅器件选用了合适的栅凹槽的宽度和掺杂浓度,提高了开...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管器件 开态击穿 负载牵引 介质栅 双场板 
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