殷一民

作品数：1被引量：4H指数：1
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供职机构：国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国家重点实验室更多>>
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氧化物忆阻器材料及其阻变机理研究进展被引量：4
《电子元件与材料》2016年第9期9-14,共6页殷一民 程海峰 刘东青 张朝阳 
国家自然科学基金资助(No.51502344)
忆阻器是目前材料和电子领域的研究前沿和热点,氧化物材料在忆阻器研究中具有重大价值。本文综述了近年来研究较多的几种典型氧化物忆阻器材料,包括TiO_2、SiO_x、HfO_x、Al_2O_3、ZnO、ZrO_2、TaOx以及ZnSnO_3等,并介绍了导电细丝机制...
关键词：氧化物材料 忆阻器 综述 阻变层 忆阻效应 阻变机理 
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