马俊

作品数:1被引量:7H指数:1
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供职机构:南开大学更多>>
发文主题:衬底温度SI-GERF-PECVD微晶太阳电池更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《光电子.激光》更多>>
所获基金:天津市应用基础与前沿技术研究计划中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
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RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池被引量:7
《光电子.激光》2013年第5期924-929,共6页曹宇 张建军 李天微 黄振华 马俊 杨旭 倪牮 耿新华 赵颖 
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00705;2011CBA00706;2011CBA00707);天津市应用基础及前沿技术研究计划(12JCQNJC01000);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了衬底温度对高Ge含量(≈50%)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性和电学特性的影响。结果表明:较低的衬底温度会抑制μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长;而当衬底温度过高时,μc-Si...
关键词:微晶Si-Ge(μc-SiGe H) 衬底温度 太阳电池 
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