刘新

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发文主题：HEMT高电子迁移率晶体管基于神经网络人工神经网络大信号模型更多>>
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基于神经网络的HEMT大信号模型
《半导体技术》2010年第4期329-332,336,共5页刘新 杨克武 吴洪江 
运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管(HEMT)的大信号模型。通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数,获得了大信号等效电路模型中寄生参数和非线性本征元件的数值。通过BP神经网络,利用偏置相关的非线性元件值作为训练样...
关键词：大信号模型 人工神经网络 高电子迁移率晶体管 非线性元件 
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