彭云霞

作品数：1被引量：2H指数：1
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发文主题：薄膜晶体管仿真态密度有源层更多>>
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双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真被引量：2
《固体电子学研究与进展》2017年第2期88-93,共6页彭云霞 潘东 钟传杰 
国家自然基金资助项目(60776056)
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1...
关键词：非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管 器件模拟 态密度 
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