钱明

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供职机构：南阳师范学院物理与电子工程学院更多>>
发文主题：MOS器件高K栅介质厚度阈值电压驱动电流更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《南阳师范学院学报》更多>>
所获基金：河南省教育厅科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
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高k栅介质厚度对MOS器件特性影响的数值模拟研究
《南阳师范学院学报》2015年第3期12-15,共4页刘赐德 钱明 李心豪 丁楠 刘旭焱 
国家自然科学基金(61306007);河南省教育厅科学技术研究重点项目(14A510004);南阳师范学院青年项目;南阳师范学院SPCP项目(ZB-2014-087)
展开了高k栅介质厚度对MOS器件特性影响的数值模拟研究.利用有限元数值分析手段,分析了栅介质厚度对MOS管驱动电流和阈值电压的影响,得到在不同栅介质厚度值情况下对应的输出特性曲线和转移特性曲线以及不同k值下的漏端电流.结果表明,...
关键词：数值模拟 栅介质厚度 驱动电流 阈值电压 
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