云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 周印华

周印华: 作品数：1被引量：12H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心更多>>; 发文主题：出光效率SI衬底光学材料湿法刻蚀更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《光学学报》更多>>; 所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>

检索结果分析

共条记录，以下是1-1

全选清除导出

视图：

排序：

光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率被引量：12: 《光学学报》2009年第1期252-255,共4页周印华汤英文饶建平江风益; 国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助课题; 以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有...; 关键词：光学材料出光效率光增强湿法刻蚀垂直结构GaN基LED SI衬底