牟桐

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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：信噪比离化超晶格结构雪崩光电二极管性能研究更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《激光与红外》《半导体光电》更多>>
所获基金：教育部重点实验室基金更多>>
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具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管
《半导体光电》2017年第5期653-655,718,共4页牟桐 邓军 杜玉杰 冯献飞 刘明 
光电子技术教育部重点实验室基金项目(PXM2017_014204_500034)
基于碰撞离化理论研究设计了In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As电子倍增超晶格结构雪崩光电二极管,使用MOCVD外延得到实验片,经过工艺流片后进行封装测试。测试结果显示,具有超晶格雪崩区的电子倍增型APD器件,其暗电流可以控制在纳安级,光...
关键词：超晶格结构雪崩光电二极管 离化率 信噪比 探测率 
超晶格雪崩光电二极管的结构优化及性能研究
《激光与红外》2016年第11期1358-1362,共5页杜玉杰 邓军 夏伟 牟桐 史衍丽 
基于碰撞离化理论研究了异质材料超晶格结构对载流子离化率的作用,设计得到In_（0.53）Ga_（0.47）As/In_（0.52）Al_（0.48）As超晶格结构的雪崩光电二极管。通过分析不同结构参数对器件性能的影响,得到了低隧道电流、高倍增因子的超...
关键词：超晶格雪崩光电二极管 离化率 信噪比 
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