施海铭

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Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
《半导体技术》2009年第6期569-572,共4页施海铭 汪辉 李化阳 林俊毅 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原...
关键词:Al-Cu互连 侧壁孔洞缺陷 θ相Al2Cu光刻胶清洗 
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