方思麟

作品数：1被引量：6H指数：1
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供职机构：大连理工大学物理与光电工程学院更多>>
发文主题：半导体材料半导体热光伏电池窄带V更多>>
发文领域：电气工程电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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基于Ⅲ-V族半导体材料的热光伏电池研究进展被引量：6
《半导体技术》2008年第8期649-653,共5页方思麟 于书文 刘维峰 刘爱民 
国家自然科学基金资助项目(60306001)
部分Ⅲ-V族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池。简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-V族化合物半导体的热光伏电池的研...
关键词：热光伏 Ⅲ-V族半导体 窄带 
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