阎锋

作品数:1被引量:4H指数:1
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供职机构:西北工业大学材料学院更多>>
发文主题:界面层漏电流电学退火Y更多>>
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退火对Y_2O_3薄膜结构和电学性能的影响被引量:4
《材料导报》2008年第7期123-125,138,共4页霍会宾 刘正堂 阎锋 
航空科学基金资助项目(04G53043)
采用射频磁控反应溅射法,成功地在n-Si衬底上制备了高κ栅介质Y2O3薄膜。对薄膜在不同温度退火后的结构、成分和电学性能进行了分析研究。结果表明,沉积态薄膜为非晶态,退火后薄膜开始晶化;沉积态薄膜中Y和O元素的原子浓度比基本符合化...
关键词:Y2O3薄膜 退火 漏电流 界面层 
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