汪源

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MOS型场效应管的VHDL-AMS行为建模与仿真
《北京电子科技学院学报》2007年第2期49-51,共3页耿彦明 汪源 张健 
本文提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了MOS场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以CMOS反相器电路为例在混合信号仿真器SMASH5.72中验证了该行为模型的正确性。
关键词：MOS场效应管 SPICE VHDL-AMS 行为建模 
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