陈文辉

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：EUVL掩模SMO分辨率增强技术光源更多>>
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光源掩模协同优化的原理与应用被引量：3
《半导体技术》2017年第9期641-649,共9页陈文辉 何建芳 董立松 韦亚一 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301001);国家自然科学基金资助项目(61604172)
当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技...
关键词：远紫外光刻(EUVL) 分辨率增强技术 光源掩模协同优化(SMO) 像素化光源 193 nm浸没式光刻 
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