曾志

作品数：1被引量：4H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
发文主题：LNAPHEMT微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管带外抑制更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器被引量：4
《半导体技术》2021年第1期36-40,共5页曾志 李远鹏 陈长友 
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和...
关键词：低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 带外抑制 电流复用技术 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部