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1.2 kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT的结构设计及特性研究
《固体电子学研究与进展》2019年第3期163-168,共6页马丽 康源 李旖晨 王云飞 王馨梅 
国家自然科学基金资助项目(61575158)
提出了一种1.2kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT结构。通过采用和正面栅极工艺相同的沟槽刻蚀技术,在器件背面形成交替出现的氧化槽,氧化槽结构增大了RC-IGBT背部N^+ Collector和P^+ Collector之间的短路电阻,从而从根本上消除了传统结构的电...
关键词：RC-IGBT 电压折回 氧化槽 恢复损耗 
一种复合终端逆阻IGBT数值仿真分析被引量：2
《中国电力》2022年第9期98-104,共7页崔磊 杨通 张如亮 马丽 李旖晨 
国家重大研发计划资助项目(2015ZX02301002);国网智能电网研究院有限公司科技项目(53ZCGB190001)。
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)本身不具有反向阻断能力,因此在电路中通常与二极管组合使用。为降低使用成本,减小寄生电感,续流二极管与IGBT通过工艺集成在同一芯片上,由此提出了具有反向阻断能力的逆阻...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 逆阻 场限环 复合终端 双掺杂场限环 
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