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检索条件："关键词=击穿电压。 "

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具有圆形P+区的1200 V SiC JBS二极管的研究: 《长沙理工大学学报（自然科学版）》2024年第4期168-175,187,共9页吴丽娟张腾飞张梦源梁嘉辉刘梦姣杨钢; 湖南省自然科学基金(2024JJ5044);湖南省教育厅科研基金(19K001)。; 【目的】通过改变碳化硅(silicon carbide,SiC)结势垒肖特基二极管(junction barrier Schottky diode,JBS)的P+掺杂区的形状,将常规SiC JBS条形分布的P+掺杂区优化为圆形P+掺杂区,并两两之间以正三角形分布于肖特基接触之间。【方法】...; 关键词：热载流子二极管碳化硅结势垒肖特基二极管导通压降击穿电压。

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