-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
检索条件："关键词=多模式-多角落 "
共 条 记 录，以下是1-2

发文量、被引量趋势图

全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
显示条数：
深亚微米下芯片后端物理设计方法学研究被引量：5
《中国集成电路》2010年第2期30-35,49,共7页曾宏 
随着摩尔定律的发展,90/65nm工艺下的大规模芯片越来越多,后端物理设计变得更加复杂,遇到了很多新问题,如高集成度、层次化设计、泄漏功耗、多角落-多模式、串扰噪声等,签收的标准也发生了变化。因此必须改进物理设计方法学,适应新的情...
关键词：90/65nm 后端设计 集成度 层次化设计 串扰噪声 多模式-多角落 泄漏功耗 动态电压降 签收 
布线后修复时序违规的方法研究被引量：2
《中国集成电路》2010年第4期29-32,37,共5页曾宏 
90/65nm下后端设计中由于多模式-角落,以及布局布线工具和签收工具之间的误差性,布线后修复各种时序违规如渡越时间、负载、建立时间、保持时间、串扰等将是一项十分耗时的工作。如何快速修复各种违规,取得设计收敛是后端设计者所关注...
关键词：90/65nm 渡越时间 负载 建立时间 保持时间 串扰噪声 多模式-多角落 签收 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部