-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
检索条件："关键词=浮区法 "
共 条 记 录，以下是1-10

发文量、被引量趋势图

全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
显示条数：
高阻率Si衬底取代GaAs衬底
《半导体信息》2003年第5期26-26,共1页陈裕权 
丹麦Topsil半导体材料公司建立了一条高阻率Si衬底新生产线。他们用浮区法生长高阻率Si单晶衬底。用于微波、毫米波领域。该公司声称这种高阻率Si可取代传统的RF衬底,并可将RFMEMS与RF电路全集成。高阻率Si衬底可用来制造电感器、电容...
关键词：高阻 SI衬底 半导体材料 微带传输线 共面波导 电感器 浮区法 横向扩散 集成电路应用 工作频率 
LaFeO_3晶体缺陷研究
《人工晶体学报》2014年第1期87-92,共6页曾小军 刘维良 武安华 朱雁风 
国家自然科学基金(51162015)
以La2O3和Fe2O3粉体为原料,在1400℃烧结24 h制备出了LaFeO3多晶料棒,采用浮区法生长出LaFeO3晶体。从晶体开裂、晶体中孔洞、晶体生长层、晶体内包裹物和晶体位错几方面,系统地研究了LaFeO3晶体的缺陷形成。通过分析晶体缺陷产生的原因...
关键词：LaFeO3晶体 浮区法 缺陷 
光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能被引量：5
《硅酸盐学报》2017年第4期548-552,共5页吴庆辉 唐慧丽 苏良碧 罗平 钱小波 吴锋 徐军 
国家自然科学基金项目(91333106);上海科委科技攻关项目(13521102700);上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹)(14DZ2252500)资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金项目(2015KJ040;1370219229)
采用光学浮区法生长了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga_2O_3:In单晶的吸收光谱和电学性能。结果表明:与纯β-Ga_2O_3单晶相比,β-Ga...
关键词：铟掺杂氧化镓单晶 晶体生长 浮区法 
(Gd_(0.99-x)Y_(x)Ce_(0.01))_(2)Si_(2)O_(7)晶体的生长及发光特性被引量：1
《人工晶体学报》2021年第10期1951-1956,共6页黄诗敏 万欢欢 杨帆 冯鹤 
National Natural Science Foundation of China(12175130,11875187,11775120)。
通过光学浮区法制备了铈掺杂焦硅酸钇钆(Gd_(0.99-x)Y_(x)Ce_(0.01))_(2)Si_(2)O_(7)(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7)(简写为GYPS∶Ce)闪烁晶体,并用X射线衍射(XRD)进行了物相识别,发现其属于正交晶系Pna21。通过真空紫外(VUV)激发和...
关键词：铈掺杂焦硅酸钇钆 浮区法 光学性能 闪烁晶体 衰减时间 光致发光 
组合线圈磁场下的液桥热表面张力流被引量：3
《工程力学》2012年第8期39-44,共6页李亮 曾忠 姚丽萍 陈朝波 陈景秋 
国家自然科学基金项目(10872222);重庆市科委自然科学基金计划项目(2009BB4207);高等学校博士学科点专项科研基金博导类资助课题项目(20110191110037);创新研究群体科学基金项目(50921063)
为了优化外加磁场对对流控制作用,该文主要研究了轴向载流线圈磁场,横向四载流线圈磁场及其组合磁场对液桥热表面张力对流的控制。研究结果表明:轴向载流线圈磁场可有效抑制熔体的径向流动,并改善熔体对流的轴对称性;而横向载流线圈磁...
关键词：热表面张力流 磁场 对流控制 浮区法 晶体生长 数值模拟 
浮区法Y_3Fe_5O_(12)晶体生长及其性能被引量：1
《人工晶体学报》1990年第3期205-207,共3页郑红 张蕴芝 夏鸿昶 姜彦岛 
本文报导了用浮区法生长Y_3Fe_5O_(12)(YIG)晶体的生长工艺。分析了用这种方法生长YIG晶体的优点。同时测量了用浮区法生长的YIG晶体的透过率和旋光度分别为68％和220°/mm。
关键词：浮区法 铁磁晶体 Y3Fe5O12 钇 YIG 
(Y_(0.99-x)Ce_(0.01)Gd_x)_3Al_5O_(12)-Al_2O_3共晶的生长和性能研究被引量：1
《人工晶体学报》2014年第6期1356-1360,共5页吕正勇 施鹰 殷录桥 夏长泰 赛青林 狄聚青 
上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室开放课题
采用光学浮区法生长了质量较好(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶,直径约为7 mm,长度约为25 mm。通过XRD分析,结果表明共晶中只有Al2O3和YAG两种晶相;通过SEM观察表明,两种晶相在三维空间交错生长,形成自生互穿网络结构,共晶间距为10...
关键词：中国科学院大学 北京100049(Y0 99-xCe0 01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶 浮区法 发射光谱 
非均匀磁场对空间浮区法晶体生长的影响被引量：3
《中国科学（A辑）》2001年第5期466-473,共8页李凯 胡文瑞 
科学技术部 95 预 34和国家自然科学基金! (批准号 :197892 0 1)资助项目
通过数值计算表明了在空间浮区法晶体生长中利用非均匀磁场抑制自由面附近流体运动 ,这种局部作用来均匀减弱整体流场的有效性 ,及通过设计一定的磁场位形以达到减弱熔体流动的同时 ,提高杂质浓度沿生长界面分布均匀性的可能性 。
关键词：浮区法 晶体生长 非均匀磁场 数值模拟 微重力 熔体流动 生长界面 
微重力下单晶硅生长中热毛细对流的控制研究被引量：3
《重庆大学学报（自然科学版）》2002年第3期97-100,共4页李杰 杨志刚 毛科 李明伟 
在微重力条件下用浮区结晶法生长半导体单晶硅独具优势 ,但自由界面的温度梯度所诱发的热毛细对流对晶体质量的影响却更为突出。文中提出一种抑制热毛细对流的新方法———表面截割法 ,即通过适当改变自由表面的状况来抑制热毛细对流 ;...
关键词：单晶硅 控制 热毛细对流 浮区法 表面截割 微重力 有限元法 晶体生长 半导体 
微重力下静态磁场对浮区法硅单晶生长的影响被引量：3
《人工晶体学报》2015年第9期2343-2349,共7页邹勇 张银 唐硕捷 马建军 黄护林 
国家自然科学基金(51276089)
考虑晶体生长界面的变形,利用有限体积方法对侧面加热的空间全浮区法硅单晶生长中熔区内的热质传输、流场及晶体生长界面位置和形态特征进行了数值研究。应用不同中等强度的轴向磁场和勾型磁场对硅熔体内的热毛细对流进行抑制。分析了...
关键词：热毛细对流 浮区法 微重力 磁场 数值模拟 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部