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拓扑半金属α2-Ti 3Al(0001)表面的电子结构理论研究
《人工晶体学报》2020年第8期1562-1567,共6页徐梦秋 杨珊珊 史倩艺 李应发 廖杨芳 
贵州省科学技术基金(黔科合J字[2012]2275号);贵州师范大学2019年度“大学生科研训练计划”(DK2019A015);贵州师范大学博士基金(GZNUD[2018]15号)。
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对α2-Ti 3Al(0001)表面的电子结构进行计算。结果表明:(1)α2-Ti 3Al(0001)表面的表面能为2.03 J/m 2,表面功函数为4.265 eV;(2)表面的总态密度在费米能级处达到极大值,系统呈现金属性,与块体的...
关键词：拓扑半金属 α2-Ti 3Al(0001) 电子结构 第一性原理 能带结构 态密度 
K掺杂β-BaCu_2S_2电子结构和光学性质的第一性原理研究
《天津师范大学学报（自然科学版）》2017年第1期22-26,共5页姚倩倩 赵辉 邢美静 梁凯 李实 申洁 
为探究K掺杂对β-BaCu_2S_2晶体电子结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波理论方法,对不同K掺杂比例β-BaCu_2S_2的电子结构和光学性质进行理论计算和分析.计算结果表明:β-BaCu_2S_2是一种直接带隙半导体...
关键词：第一性原理 K掺杂β-BaCu2S2晶体 能带结构 态密度 介电函数 吸收系数 
非金属元素(F,S,Se,Te)掺杂对ZnO/graphene肖特基界面电荷及肖特基调控的理论研究被引量：3
《人工晶体学报》2022年第4期628-636,共9页庞国旺 刘晨曦 潘多桥 史蕾倩 张丽丽 雷博程 赵旭才 黄以能 汤哲 
新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题(2021D04015);新疆维吾尔自治区高校科技计划(XJEDU2021Y044);伊犁师范大学博士启动基金(2021YSBS009)。
本文基于第一性原理系统研究了非金属元素F、S、Se、Te掺杂对ZnO/graphene异质结界面相互作用及其电子结构的影响。结果表明,ZnO/graphene异质结层间以范德瓦耳斯力结合形成了稳定的异质结,并且形成了n型肖特基势垒。差分电荷密度图表明...
关键词：二维材料 异质结 第一性原理 肖特基接触 掺杂 能带结构 ZnO/graphene 
梯度掺杂对n型异质结太阳能电池性能的影响被引量：2
《发光学报》2013年第11期1505-1510,共6页崔冬萌 贾锐 丁武昌 张烨 A.W.Weeber 宋世庚 
国家"973"计划(2009CB939703);国家自然科学基金(11104319;51172268);吉林省自然科学基金(201115122);太阳能行动计划资助项目
通过仿真软件AFORS-HET对a-Si∶H(p)/i-a-Si∶H/c-Si(n)异质结太阳能电池的光伏特性进行分析及优化,主要对比了a-Si∶H(p)层的均匀掺杂和表面掺杂浓度D1=1×1020cm-3>界面掺杂浓度D2=4×1019cm-3的梯度掺杂情况时的光伏特性,实现了在梯...
关键词：梯度掺杂 光伏特性 能带结构 AFORS-HET 
a-Si∶H/SiO_2多量子阱材料制备及其光学性能和微结构研究
《物理学报》2011年第6期743-747,共5页马小凤 王懿喆 周呈悦 
上海市自然科学基金(批准号:09ZR1430100)资助的课题~~
利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了a-Si:H/SiO2多量子阱结构材料.对a-Si:H/SiO2多量子阱样品分别进行了3种不同的热处理,其中样品经1100℃高温退火可获得尺寸可控的nc-Si:H/SiO2量子点超晶格结构,其尺寸与非晶硅子层厚度相当.比较...
关键词：多量子阱 量子限制效应 光学吸收 能带结构 
磁性材料、超导材料和器件
《中国无线电电子学文摘》2007年第3期4-12,共9页
O482007040206氧离子导体La1.95K0.05Mo2-xMnxO9-δ的内耗研究/李春,张国光,程帜军,王先平,方前锋(南昌航空工业学院材料科学与工程系)//物理学进展.―2006,26(3,4).―400～403.该文用低频内耗的方法研究了氧离子导体材料La1.95K0.05Mo2...
关键词：器件 热释光 光释光 禁带 发光 能带结构 薄膜设计 窄带滤光片 光学薄膜器件 激光损伤阈值 中国科学院上海光学精密机械研究所 发光谱 发光学报 光子晶体 超导材料 金属材料 磁性材料 电工材料 
近800nm波长张应变GaAsP/A1GaAs量子阱激光器有源区的设计
《物理学报》2018年第6期231-243,共13页李建军 
光电子技术教育部重点实验室发展基金(批准号:PXM2017_014204_500034);北京市教委能力提升项目(批准号:PXM2016_014204_500026)资助的课题~~
张应变GaAs_(1-x)P_x量子阱是高性能大功率半导体激光器的核心有源区,基于能带结构分析优化其结构参数具有重要的应用指导意义.首先,基于6×6 Luttinger-Kohn模型,采用有限差分法计算了张应变GaAs_(1-x)P_x量子阱的能带结构,得到了第一...
关键词：量子阱 能带结构 张应变 
应变Ge_(1-y)C_y合金的带隙
《华侨大学学报（自然科学版）》2002年第1期19-22,共4页吴丽清 郭亨群 黄美纯 朱梓忠 
国家自然科学基金资助项目;国家高技术发展计划基金资助项目;福建省青年科技人才创新科研基金资助项目;华侨大学科研基金资助项目
采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法 ,研究 Si(0 0 1)和 Ge(0 0 1)衬底上的应变 Ge1-y Cy 合金 ,其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况 .结果发现 ,带隙对应变条件非常敏感 .硅衬底上应变 Ge1-y Cy 合金的带隙随碳组分...
关键词：从头赝势法 带隙 硅衬底 锗衬底 碳含量 晶格失配度 能带结构 半导体材料 应变Ge1-yCy合金 
石墨烯在光电探测领域的研究进展被引量：5
《红外技术》2014年第8期609-616,共8页赵建红 宋立媛 姬荣斌 项金钟 唐利斌 
云南省应用基础研究计划项目;编号:2012FA003
石墨烯是一种具有零带隙、室温下极高的电子迁移率、极低的电阻率以及高的透光性等许多独特性能的新型碳材料,关于石墨烯的相关研究引起了人们的广泛关注,其已成为凝聚态物理和材料科学的研究前沿。简要介绍了石墨烯的能带结构和性质,...
关键词：石墨烯 能带结构 迁移率 红外探测器 
电荷转移复合物1-氮-甲基-苯并哒嗪TCNQ和2-氮-甲基-苯并哒嗪TCNQ的能带结构与电性质的研究
《物理化学学报》1989年第1期50-55,共6页钱民协 施雁阳 傅亨 唐有祺 徐小杰 
中国科学院院内基金R850434
本文采用以EHMO为基础的紧束缚近似方法计算了同分异构复合物1-N-Mci TCNQ_2和2-N-Mci TCNQ_2的能带结构。通过计算谐振稳定能估算复合物中TCNQ的电荷。计算结果表明,复合物晶体中的给体N-Mci对一维能带的前沿轨道无影响。1-N-Mci和2-N-...
关键词：电荷转移 复合物 TCNQ 能带结构 
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