-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
检索条件："关键词=表面缺陷密度 "
共 条 记 录，以下是1-1

发文量、被引量趋势图

全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
显示条数：
高质量6英寸4H-SiC同质外延层快速生长被引量：4
《微纳电子技术》2021年第5期446-451,共6页薛宏伟 袁肇耿 吴会旺 杨龙 
工业和信息化部2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项。
采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸=2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H_(2)比(所用气源摩尔比)与生长速率的相互关系,使4H-SiC同质外延层生长速率达到101μm/h。同时,系统研究了C/Si比对4H-SiC同质外延层生...
关键词：4H-SIC 同质外延片 C/Si比 表面缺陷密度 基面位错(BPD)密度 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部