薛宏伟

作品数：8被引量：20H指数：3
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供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司更多>>
发文主题：外延片硅外延片电阻率衬底均匀性更多>>
发文领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术机械工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》《清洗世界》更多>>
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150mm高质量15kV器件用4H-SiC同质外延生长被引量：1
《微纳电子技术》2022年第5期489-493,共5页吴会旺 杨龙 薛宏伟 袁肇耿 
工业和信息化部2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项。
采用化学气相沉积法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)厚层4H-SiC同质外延片的快速生长,通过对工艺中预刻蚀、碳硅比(C/Si)和温度等关键参数优化,有效降低了厚层外延片表面缺陷密度。同时,采用傅里叶变换红外法、汞探针电容电压法和表面缺陷测...
关键词：4H-SIC 同质外延 厚层外延 表面缺陷 快速率生长 
300mm直径硅外延片均匀性控制方法被引量：1
《半导体技术》2021年第12期942-945,991,共5页吴会旺 刘建军 米姣 薛宏伟 袁肇耿 
河北省博士后择优资助项目(B2019005002)。
随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一。使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片。相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面...
关键词：300 mm直径 硅外延片 五路进气结构 厚度均匀性 电阻率均匀性 
衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响
《半导体技术》2021年第11期875-880,886,共7页米姣 张涵琪 薛宏伟 袁肇耿 吴会旺 
硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO_(2)层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响。对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电...
关键词：去边宽度 高阻厚层硅外延片 不均匀性 滑移线 击穿电压 
高质量6英寸4H-SiC同质外延层快速生长被引量：4
《微纳电子技术》2021年第5期446-451,共6页薛宏伟 袁肇耿 吴会旺 杨龙 
工业和信息化部2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项。
采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸=2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H_(2)比(所用气源摩尔比)与生长速率的相互关系,使4H-SiC同质外延层生长速率达到101μm/h。同时,系统研究了C/Si比对4H-SiC同质外延层生...
关键词：4H-SIC 同质外延片 C/Si比 表面缺陷密度 基面位错(BPD)密度 
维护周期对8英寸薄层Si外延片性能的影响被引量：1
《半导体技术》2020年第11期874-879,904,共7页米姣 薛宏伟 袁肇耿 吴晓琳 张佳磊 张双琴 石巧曼 
河北省科技重大专项资助项目(19010206Z)。
研究了采用某款单片外延设备批量生长8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层Si外延片时芯片性能参数的变化。研究发现随着设备预防性维护(PM)后使用天数的增加,外延层厚度不均匀性变化很小,电阻率不均匀性逐渐增大,边缘过渡区逐渐加长,注入反应腔室...
关键词：薄层硅外延片 电阻率 过渡区 击穿电压 不均匀性 维护周期 
重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备被引量：3
《半导体技术》2020年第3期200-205,共6页薛宏伟 米姣 袁肇耿 王刚 张志勤 
超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原...
关键词：硅外延片 超高阻 多次本征工艺 低温外延 无HCl抛光 电阻率不均匀性 
影响功率半导体器件用硅外延片清洗质量的因素被引量：4
《清洗世界》2019年第6期38-40,共3页薛宏伟 周晓龙 刘永刚 
硅外延片非常适合且已经被广泛用作制备功率半导体器件,但其供给远远不能满足市场需求。硅外延片清洗后,可能会造成表面有机物、颗粒、金属污染物和水痕残留,直接影响到功率半导体器件用晶圆加工过程的稳定性和加工产品的最终良率。从...
关键词：功率半导体器件 硅外延片 表面 RCA清洗 
8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法被引量：9
《半导体技术》2017年第7期531-535,560,共6页张志勤 袁肇耿 薛宏伟 
8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分...
关键词：8英寸硅外延片 薄层外延 外延层厚度 电阻率 不均匀性 “碗状”分布 
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