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检索条件："关键词=门延迟模型 "
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考虑NBTI效应的逻辑门退化延迟模型
《微电子学》2018年第1期98-102,共5页郭海霞 王燕玲 李小进 孙亚斌 石艳玲 
国家自然科学基金资助项目(61574056;61204038);上海自然科学基金资助项目(14ZR1412000)
基于45nm PTM模型,采用Hspice对基本逻辑门进行了仿真,并使用Matlab对仿真数据进行了三维延迟曲面拟合。在这些仿真基础上,建立了关于输入信号翻转时间t_i、输出负载电容C_L、阈值电压变化量ΔV_(th)的传播延迟t_p和输出翻转时间to的计...
关键词：负偏压温度不稳定性 逻辑门 可靠性设计 门延迟模型 
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