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检索条件:"关键词=Ga原子团簇 "
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基于分子束外延技术可控制备Ga原子团的研究
原子与分子物理学报》2025年第3期77-84,共8页马玉麟 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(61564002);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271和[2017]1055);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07));贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号)。
本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团.实验结...
关键词:MBE Ga原子团 Ga源温度 沉积时长 退火时长 
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