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检索条件："关键词=Synopsys器件模拟软件 "
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太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算被引量：5
《红外与激光工程》2011年第7期1205-1208,共4页李凡 史衍丽 赵鲁生 徐文 
国家自然科学基金重点项目(U1037602)
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的...
关键词：金属半导体场效应管 太赫兹探测 I-V特性 器件模拟 Synopsys器件模拟软件 
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