GaN HEMT器件主要性能指标有哪些?宽禁带器件测试方案  

出　　处：《世界电子元器件》2023年第7期27-29,共3页Global Electronics China

摘　　要：GaN HEMT器件性能的评估,一般包含静态参数测试(I-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。静态参数,也被称作直流参数,是用来评估半导体器件性能的基础测试,也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs(th)为例,其值的大小对研发人员设计器件的驱动电路具有重要的指导意义。静态测试方法,一般是在器件对应的端子上加载电压或者电流,并测试其对应参数。与Si基器件不同的是,GaN器件的栅极阈值电压较低,甚至要加载负压。

关 键 词：阈值电压 半导体器件 宽禁带器件 测试方案 直流参数 GAN 基础测试 静态参数 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]