基底温度对磁控溅射制备ZnO薄膜性能的影响  

Effect of Substrate Temperature on Properties of ZnO Thin Films by Magnetron Sputtering

作　　者：周明飞[1] 宋学萍[1] 孙兆奇[1] 

机构地区：[1]安徽大学物理与材料科学学院,安徽合肥230039

出　　处：《材料科学与工程学报》2007年第4期598-601,共4页Journal of Materials Science and Engineering

基　　金：国家自然科学基金资助项目(59972001);教育部博士点专项基金资助项目(20060357003);安徽省人才专项基金资助项目(2004Z029);安徽省教育厅科研基金资助项目(2004kj030);安徽省信息材料与器件重点实验室资助项目;安徽大学人才队伍建设基金资助项目

摘　　要：利用射频磁控溅射,在Si基底上制备了ZnO薄膜.采用电子薄膜应力分布测试仪、X射线衍射和傅立叶变换红外光谱仪等检测手段研究了基底温度对其应力、微结构及光学性能的影响.ZnO薄膜在(002)晶面具有良好的c轴取向.在基底温度为200～300 ℃范围内,ZnO薄膜具有良好的结晶性能和较均匀的应力分布.红外光谱在430cm-1附近出现了Zn-O键的振动吸收峰.ZnO thin films were prepared on Si substrates by RF magnetron sputtering.The effect of substrate temperature on the stress,microstructure and optical property was investigated by stress analyzer,X-ray diffraction(XRD) and the Fourier transform infrared spectrometer.ZnO thin films have a c-axis preferred orientation in ZnO(002).And they have good crystallization performance and mean stress distribution in the range of 200～300℃.Infrared spectra present a vibrant absorption peak resulted from Zn-O bonds.

关 键 词：ZNO薄膜 基底温度 微结构 应力 红外光谱 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]