集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究  

Silicon Nanowires Fabricated by MEMS Technology

作　　者：刘文平[1] 宋达[1] 李铁[1] 李昕欣[1] 王跃林[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 浙江大学,杭州,310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

出　　处：《中国机械工程》2005年第z1期365-367,共3页China Mechanical Engineering

摘　　要：采用传统MEMS工艺,利用精巧的结构设计和准确的工艺控制,制作出一种新型的、在芯片上可集成的、直径可控的硅纳米线,对其形貌和电学特性进行了初步测试和讨论.纳米线的直径达到50nm以下,长度为3～15μm,两端固支,底部悬空.电学测试结果表明,硅材料的表面活性很高,由于比表面积的增大,硅纳米线哌的电学特性受表面态的影响非常大.新鲜表面的硅纳米线与暴露在空气中一定时间的纳米线的I-V特性有着明显的不同.

关 键 词：硅纳米线 微电子机械系统 表面态 光生载流子 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]