下一代光刻技术研究开发情况  

作　　者：刘明[1] 陈宝钦[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心

出　　处：《中国集成电路》2003年第2期91-92,共2页China lntegrated Circuit

摘　　要：一、前言在微电子制造技术中,最为关键的是用于电路版图图形生成和复制的光刻技术,光刻技术的研究与开发在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。目前国际微电子领域最引人关注的热点就是即将到来的光刻技术变革。这一变革将对整个微电子制造技术的发展产生深远的影响。由于分辨率增强技术的发展,光学光刻的极限分辨率可以达到光源波长的1/2。因此,193nm

关 键 词：光刻技术 极紫外投影光刻 下一代光刻 投影光学系统 微电子 激光等离子体光源 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]