脉冲负偏压对热丝CVD金刚石膜形核及生长形貌的影响  

作　　者：杨贵龙[1] 魏雪峰[1] 

机构地区：[1]黑龙江省光电技术研究所,157000

出　　处：《信息技术》2000年第9期11-12,共2页Information Technology

摘　　要：脉冲负偏压形核可增加衬底形核密度 ,最高可达 10 8/cm2 ,且晶核分布均匀。在此种晶核基础上生长的金刚石膜的微观形貌中 ,取向为 [10 0

关 键 词：脉冲负偏压 形核 取向 CVD 金刚石膜 

分 类 号：TN01[电子电信—物理电子学]