直流反应磁控溅射法制备VO_2薄膜  

Growth of Vanadium Dioxide Films by DC Reactive Magnetron Sputtering

作　　者：陈长琦[1] 王君[1] 陈庆连[1] 方应翠[1] 王旭迪[1] 

机构地区：[1]合肥工业大学机械与汽车工程学院真空技术与应用工程中心,合肥230009

出　　处：《真空科学与技术学报》2008年第2期153-158,共6页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：安徽省教育厅自然科学研究基金(No.2002kj241ZD)

摘　　要：VO2是一种相变材料。发生相变时,VO2的电阻、透过率、反射率都会发生显著的变化;反应磁控溅射法是制备VO2薄膜的一种比较理想的方法。文中,重点讨论氧氩气质量流量比m(O2)/m(Ar)、基片温度以及沉积后薄膜的退火处理对制备薄膜成分、结构和性能的影响。通过分析得出m(O2)/m(Ar)比在1∶13和1∶12间具有较高的VO2含量;基片温度在250℃时具有较佳的VO2结晶特性;450℃保持2 h的真空退火处理可以改变薄膜成分和结构,使高价的V2O5薄膜还原到四价的VO2,且明显减少薄膜的氧缺陷,提高氧原子的含量,减少空洞,增加晶粒尺寸提高膜的致密度。Vanadium dioxide(VO2) films were grown by DC reactive magnetron sputtering.The microstructures and properties of the films were studied with X-ray diffraction(XRD),X-ray photoelectron spectroscopy(XPS),atomic force microscopy(AFM),and some conventional surface probes.The results show that the film growth conditions,including the gas flow ratio of argon and oxygen,substrate temperature,and annealing temperature,significantly affect the microstructures and properties of the films.For example,the films with hi...

关 键 词：反应磁控溅射 二氧化钒 薄膜 沉积条件 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]