4H-SiC欧姆接触与测试方法研究  

4H-SiC Ohmic Contact and Measure Technology

作　　者：陈刚[1,2] 柏松[2] 李哲阳[2] 韩平[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210008 [2]南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第1期38-41,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家重点基础研究发展规划(2006CB604900);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(6039072;60421003;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)

摘　　要：主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.22×10-7Ω.cm2,能够很好满足SiC器件的需要。In this paper,the characteristics of the 4H-SiC ohmic contact for different metals and process conditions were studied.The best condition for ohmic contact process was obtained,which is the base of the fabrication of the SiC devices.The process flow chart of ohmic contact was also introduced,the specific contact resistivity with TLM and Four-Probe measure was obtained.The best results for specific ohmic contact respectively are ρc=9.02×10-6 Ω·cm2 for NiCr/SiC and ρc=2.22×10-7 Ω·cm2 for Ni/SiC resistivity.

关 键 词：碳化硅 欧姆接触 特征接触电阻率 退火 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]