InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱中应变对光致发光特性的影响  

Strain Effect on Photoluminescence from InGaN/GaN and InGaN/AlGaN MQWs

作　　者：于彤军 康香宁 秦志新 陈志忠 杨志坚 胡晓东 张国义 

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期20-24,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60676032,60276010,60376025,60276034)和北京市科技计划(批准号:H030430020230)资助项目 Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos. 60676032,60276010,60376025,60276034) and the Beijing Scientific & Technical Program(No.H030130020230)

摘　　要：对蓝宝石衬底上的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构和经激光剥离去除衬底的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构薄膜样品,进行了光致发光谱、高分辨XRD和喇曼光谱测量.PL测量结果表明,相对于带有蓝宝石衬底的样品,InGaN/GaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生较小的蓝移,而InGaN/AlGaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生明显的红移;喇曼光谱的结果表明,激光剥离前后E2模的峰值从569.1减少到567.5cm-1.这说明激光剥离去除衬底使得外延层整体的压应力得到部分释放,但InGaN/GaN与InGaN/AlGaN多量子阱结构中阱层InGaN的应力发生了不同的变化.XRD的结果证实了这一结论.

关 键 词：光致发光谱 INGAN ALGAN 多量子阱 应变 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]