InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象  

Investigation of Indium Surface Segregation in InxGa1-xN Films

作　　者：刘成祥[1] 谢自力[1] 韩平[1] 刘斌[1] 李亮[1] 符凯[1] 周建军[1] 叶建东[1] 文博[1] 王荣华[1] 张禹[1] 陈敦军[1] 江若琏[1] 顾书林[1] 施毅[1] 张荣[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期97-100,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA311080),国家自然科学基金(批准号:60476030),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2003203)资助项目

摘　　要：用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.

关 键 词：InxGa1-xN合金薄膜 表面分凝 Ⅴ/Ⅲ比 

分 类 号：TN304.2+6[电子电信—物理电子学]