符凯

作品数：4被引量：9H指数：2
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：CVD表面形貌MOCVD生长速率化学气相淀积更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《稀有金属》《人工晶体学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化被引量：3
《稀有金属》2008年第1期28-33,共6页符凯 张禹 陈敦军 韩平 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划973(2006CB604900);国家自然科学基金(6039072;60476030;60421003;60676057);教育部重大项目(10416);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210;BK2006126)
根据现有氮化镓（GaN）金属有机物化学气相淀积（Metalorganic Chemical Vapor Deposition）生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOCVD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了...
关键词：氮化镓 计算流体力学 蒙特卡洛 计算机模拟 
InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期97-100,共4页刘成祥 谢自力 韩平 刘斌 李亮 符凯 周建军 叶建东 文博 王荣华 张禹 陈敦军 江若琏 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA311080),国家自然科学基金(批准号:60476030),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2003203)资助项目
用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄...
关键词：InxGa1-xN合金薄膜 表面分凝 Ⅴ/Ⅲ比 
Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期151-154,共4页王荣华 韩平 夏冬梅 李志兵 韩甜甜 刘成祥 符凯 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)资助项目
用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向...
关键词：化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层 Ge薄膜 
AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱被引量：2
《人工晶体学报》2005年第6期1126-1131,共6页秦臻 韩平 韩甜甜 鄢波 李志兵 谢自力 朱顺明 符凯 刘成祥 王荣华 李云菲 S.Xu N.Jiang 顾书林 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划资助项目(G2000068305)
本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子...
关键词：CVD 4H—SiC 光致发光 
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