Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长  

Chemical Vapor Deposition of Ge Films on Si1-xGex: C Buffers

作　　者：王荣华[1] 韩平[1] 夏冬梅[1] 李志兵[1] 韩甜甜[1] 刘成祥[1] 符凯[1] 谢自力[1] 修向前[1] 朱顺明[1] 顾书林[1] 施毅[1] 张荣[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期151-154,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)资助项目

摘　　要：用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.

关 键 词：化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层 Ge薄膜 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]