基于低温键合技术制备SOI材料  

Fabrication of SOI Material Using Low Temperature Bonding Technology

作　　者：詹达[1,2] 马小波[1,2] 刘卫丽[1] 宋志棠[1] 封松林[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海200050 [2]中国科学院研究生院,北京100049

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期189-192,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60476006和60576014)和上海市重点攻关(批准号:055211001)资助项目

摘　　要：通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut技术制备出SOI结构,顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度.该研究结果提供了一种SOI低温技术.

关 键 词：SOI 等离子体活化 键合强度 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]