稀土金属硅化物的场发射  

Field Emission from Rare-Earth Silicides

作　　者：段辉高[1] 谢二庆[1] 叶凡[1] 王晓明[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期202-204,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15～20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm以下,而场发射密度可以提高一个数量级.它们良好的场发射性能归因于稀土金属硅化物本身热稳定性好,功函数低.用FN理论对场发射的机理进行了分析,发现其FN曲线明显分成了两段,这可能是因为在场发射过程中引起的温度效应.

关 键 词：稀土金属硅化物 场发射 FN曲线 

分 类 号：TN304.3[电子电信—物理电子学]