王晓明

作品数：4被引量：3H指数：1
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供职机构：兰州大学更多>>
发文主题：场发射场发射特性场电子发射衬底场致电子发射更多>>
发文领域：电子电信经济管理理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能
《功能材料与器件学报》2008年第4期844-847,共4页王晓明 谢二庆 叶凡 段辉高 周明 
利用直流溅射法在Si、Zn、Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能。扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有HfN和HfO2两种相。场发射测试结果显示,和金属衬底上的薄膜相比,S...
关键词：直流溅射 HfNxOy薄膜 场致电子发射 
InN纳米线的低压化学气相沉积及其场发射特性研究被引量：2
《物理学报》2007年第4期2342-2346,共5页叶凡 蔡兴民 王晓明 赵建果 谢二庆 
国家自然科学基金(批准号:60176002)资助的课题.~~
利用低压化学气相沉积方法在以Au作催化剂的Si衬底上生长了InN纳米线.扫描电子显微镜分析表明,这些纳米线的直径在60—100nm的范围内,而其长度大于1μm.高分辨透射电子显微镜图像表明,合成的纳米线中含有六方相和立方相的InN晶体.这些In...
关键词：InN纳米线 场电子发射 非线性Fower-Nordheim曲线 
稀土金属硅化物的场发射
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期202-204,共3页段辉高 谢二庆 叶凡 王晓明 
用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15～20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm以下,而场发射密度可以提高一个数量级.它们良好的场...
关键词：稀土金属硅化物 场发射 FN曲线 
HfOxNy的场发射特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期208-210,共3页段辉高 谢二庆 叶凡 蒋然 王晓明 
用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性...
关键词：HfOxNy 场发射 高压"锻炼" 
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