HfOxNy的场发射特性  

Field Emission from Hafnium Oxynitride

作　　者：段辉高[1] 谢二庆[1] 叶凡[1] 蒋然[1] 王晓明[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期208-210,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.

关 键 词：HfOxNy 场发射 高压"锻炼" 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]