侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用  

Application on Sidewall Chrome Attenuated New Structure Phase Shift Mask

作　　者：谢常青[1] 刘明[1] 陈宝钦[1] 叶甜春[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029 中国科学院微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029 中国科学院微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029 中国科学院微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期340-342,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60376020)

摘　　要：提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCAN XT:1400E的曝光参数,对侧墙铬衰减型移相掩模的工艺进行了研究,证明SCAPSM+离轴照明的方案可以将干式193nm光学光刻的分辨率提高到50nm.

关 键 词：193nm光学光刻 衰减型移相掩模 离轴照明 数值孔径 PROLITH 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]