直流磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及电学性质研究  

Structural and Electrical Properties of ZnO Thin Film by DC Magnetron Sputtering

作　　者：李丽[1] 方亮[1] 廖克俊[1] 刘高斌[1] 杨丰帆[1] 付光宗[1] 

机构地区：[1]重庆大学应用物理系,重庆,400044 重庆大学应用物理系,重庆,400044 重庆大学应用物理系,重庆,400044 重庆大学应用物理系,重庆,400044 重庆大学应用物理系,重庆,400044 重庆大学应用物理系,重庆,400044

出　　处：《真空科学与技术学报》2005年第z1期86-89,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：重庆大学研究生创新基金(No.200506Y1B0240131);重庆市科技攻关项目(No.CSTC2005AA4006-A6);重庆大学数理学院青年基金资助

摘　　要：本文采用直流反应磁控溅射方法在平面玻璃上制备了ZnO薄膜.所得的ZnO薄膜利用X光衍射,扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析和表征.实验结果表明,ZnO薄膜的结构和电学性质与合成条件密切相关.并测试了ZnO薄膜的温差电动势,得出薄膜中的载流子浓度越大,温差电动势率越小;ZnO薄膜厚度越大,温差电动势率越小.本文对其结果进行了理论分析.

关 键 词：ZNO薄膜 磁控溅射 温差电动势率 载流子浓度 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]