ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究  

SEM Investigation on Influences of ZnS/CuInS2/Mo/SL-Glass Substrate on RF Sputtered ZnO: Al Films

作　　者：邵乐喜[1] 刘小平[1] 黄惠良[1] 

机构地区：[1]湛江师范学院信息科技学院,湛江,524048 湛江师范学院信息科技学院,湛江,524048 国立清华大学电子工程研究所,新竹,300

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期49-51,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：广东省自然科学基金(批准号:31927),广东省科技(工业攻关)计划(批准号:2003C105005)和教育部留学回国人员科研启动基金(批准号:[2004]176)资助项目

摘　　要：结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2),都会引起沉积ZnO:Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.

关 键 词：铝掺杂氧化锌薄膜 射频溅射 扫描电镜 ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底 

分 类 号：TN304.2+1[电子电信—物理电子学]