SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理  

Turn-On Mechanism of a Light-Activated SiC Heterojuntion Darlington HBT

作　　者：蒲红斌[1] 陈治明[1] 

机构地区：[1]西安理工大学电子工程系,西安,710048 西安理工大学电子工程系,西安,710048

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期143-146,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60376011)

摘　　要：利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析结果表明,SiC光控异质结达林顿晶体管在近红外区内具有明显光控开关特性,其饱和导通压降为4.5V左右,且宜于强光工作.

关 键 词：SIC 光控达林顿晶体管 异质结 功率开关 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]