CVD工艺中气体流型的研究  

The study of gas flow pattern in CVD technology

作　　者：汪飞琴[1] 苏小平[1] 鲁泥藕[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京,100088 北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京,100088 北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京,100088

出　　处：《功能材料》2004年第z1期2792-2794,1799,共4页Journal of Functional Materials

摘　　要：化学气相沉积(CVD)法可制备高纯度、近似元件形状、大面积的块体材料,与制备薄膜的CVD过程相比,该过程存在长时间沉积稳定性、厚度均匀性及光学质量均匀性等问题.本文采用简化装置对CVD工艺过程进行物理模拟,探讨不同工艺参数下沉积室内部气体流型的变化,分析流型对沉积过程的影响.

关 键 词：化学气相沉积 体材料 稳定性 均匀性 流型 

分 类 号：TQ11[化学工程—无机化工]