硅基AlN薄膜的成分与表面分析  

Component and Surface Analysis of AlN Thin Films on Silicon

作　　者：于毅[1] 赵宏锦[1] 任天令[1] 刘理天[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《仪器仪表学报》2003年第z2期278-279,共2页Chinese Journal of Scientific Instrument

基　　金：国家"863"计划(2002AA404500)课题;"973"计划(G1999033105)课题

摘　　要：采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基AlN薄膜。用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析。Aluminum nitride (AlN) thin films have been successfully deposited on silicon by DC magnetron reac- tive sputtering. The films show perfect (002) preferential orientation. Auger electron spectroscopy (AES), scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) are used to analyze component and surface morphology of the films.

关 键 词：氮化铝薄膜 成分 表面形貌 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]