赵宏锦

作品数：7被引量：23H指数：3
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：硅基氮化铝薄膜刻蚀直流磁控反应溅射ALN薄膜更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《压电与声光》《仪器仪表学报》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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直流磁控反应溅射制备硅基AlN薄膜被引量：10
《压电与声光》2005年第1期53-55,共3页于毅 赵宏锦 高占友 任天令 刘理天 
国家"九七三"计划基金资助项目(G1999033105);国家"八六三"计划基金资助项目(2004AA404240)
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理...
关键词：氮化铝薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 
AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究被引量：3
《仪器仪表学报》2003年第z2期239-240,共2页于毅 赵宏锦 任天令 刘理天 
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜。采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜徽图形。较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄...
关键词：氮化铝薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 刻 蚀 
硅基AlN薄膜的成分与表面分析被引量：1
《仪器仪表学报》2003年第z2期278-279,共2页于毅 赵宏锦 任天令 刘理天 
国家"863"计划(2002AA404500)课题;"973"计划(G1999033105)课题
采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基AlN薄膜。用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析。
关键词：氮化铝薄膜 成分 表面形貌 
应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究被引量：3
《压电与声光》2002年第6期459-462,共4页王小宁 刘建设 任天令 赵宏锦 邵天奇 刘理天 
国家自然科学基金资助项目(69806007);"九七三"基金资助项目(G1999033105)
BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温10...
关键词：DRAM BST薄膜 制备 溶胶-凝胶法 刻蚀 动态随机存取存储器 复合钙钛矿 钛酸锶钡 
流延硅基PZT厚膜工艺研究被引量：1
《压电与声光》2001年第6期449-452,共4页林州 赵宏锦 任天令 刘理天 左如忠 李龙土 
"九七三"国家重大基金研究项目 (19990 3 3 10 5 )
研究了基于流延技术制备硅基锆钛酸铅 (PZT)厚膜的工艺。考虑衬底特性对厚膜品质的影响 ,在不同的种子层上分别制备了 PZT厚膜 ,测试工艺结果 ,证实了种子层的作用。分析了高温烧结时间对流延 PZT厚膜品质的影响 ,确定了最优高温烧结时...
关键词：流延 锆钛酸铅 厚膜 铁电材料 硅基 
PZT厚膜UCPBG结构的射频天线研究
《压电与声光》2001年第5期397-401,共5页林州 任天令 赵宏锦 刘理天 
"九七三"国家重大基金研究项目 ( 19990 3310 5 )
采用了丝网印刷工艺在硅片上制备了锆钛酸铅 (PZT)薄膜 ,进行了相应的工艺分析。设计并仿真了平面光子带隙 (UCPBG)结构 ,测试了结构的电磁参数 ,证实了结构的可行性。在此基础上提出了一种基于 PZT厚膜工艺和平面光子带隙结构的微型射...
关键词：丝网印刷 锆钛酸铅 射频天线 PZT厚膜 UCPBG结构 
硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究被引量：6
《压电与声光》2001年第4期290-292,共3页赵宏锦 刘建设 任天令 刘燕翔 刘理天 李志坚 
国家自然科学基金资助项目 ( 6980 60 0 7) ;国家"九七三"计划资助项目 ( G19990 3310 5 )
采用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法制备了 PZT薄膜 ,在 60 0°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺 ,利用 HCl/ HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的 PZT薄膜微图形。较好的解决了有关 ...
关键词：锆钛酸铅 刻蚀工艺 PZT薄膜 硅基 
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