高占友

作品数：1被引量：10H指数：1
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：ALN薄膜氮化铝薄膜硅基直流磁控反应溅射更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《压电与声光》更多>>
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直流磁控反应溅射制备硅基AlN薄膜被引量：10
《压电与声光》2005年第1期53-55,共3页于毅 赵宏锦 高占友 任天令 刘理天 
国家"九七三"计划基金资助项目(G1999033105);国家"八六三"计划基金资助项目(2004AA404240)
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理...
关键词：氮化铝薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 
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