于毅

作品数：4被引量：19H指数：3
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：氮化铝薄膜ALN薄膜直流磁控反应溅射硅基ALN更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《压电与声光》《仪器仪表学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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直流磁控反应溅射制备硅基AlN薄膜被引量：10
《压电与声光》2005年第1期53-55,共3页于毅 赵宏锦 高占友 任天令 刘理天 
国家"九七三"计划基金资助项目(G1999033105);国家"八六三"计划基金资助项目(2004AA404240)
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理...
关键词：氮化铝薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 
硅基AlN薄膜制备技术与测试分析被引量：7
《Journal of Semiconductors》2005年第1期42-45,共4页于毅 任天令 刘理天 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G19990 3 3 10 5 );国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA40 45 0 0 )资助项目~~
采用直流磁控反应溅射法 ,在Si(10 0 ) ,Al/Si(10 0 )和Pt/Ti/Si(10 0 )等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜 .用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析 ,通过优化工艺参数 ,得到了提高薄膜择优取向的方法 ,并分析了不同衬底上AlN...
关键词：AIN薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 半高宽 
AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究被引量：3
《仪器仪表学报》2003年第z2期239-240,共2页于毅 赵宏锦 任天令 刘理天 
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜。采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜徽图形。较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄...
关键词：氮化铝薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 刻 蚀 
硅基AlN薄膜的成分与表面分析被引量：1
《仪器仪表学报》2003年第z2期278-279,共2页于毅 赵宏锦 任天令 刘理天 
国家"863"计划(2002AA404500)课题;"973"计划(G1999033105)课题
采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基AlN薄膜。用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析。
关键词：氮化铝薄膜 成分 表面形貌 
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