云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- AIN薄膜

AIN薄膜: 作品数：28被引量：72H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>; 相关作者：汪洪海郑启光丘军林颜国君许小红更多>>; 相关机构：西安交通大学电子科技大学华中理工大学大连理工大学更多>>; 相关期刊：《Optoelectronics Letters》《山东师范大学学报（自然科学版）》《光学学报》《金属功能材料》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划山西省青年科技研究基金更多>>

Preparation of high-quality AlN films by two-step method of radio frequency magnetron sputtering: 《Optoelectronics Letters》2013年第5期371-374,共4页朱宇清陈希明李福龙李晓伟杨保和; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61106007);the Tianjin Science and Technology Foundation(No.10JCYBJC05900); The preparation of nanometer aluminum nitrogen(AlN) films with uniform lattice arrangement is of great significance for the manufacture of high-frequency surface acoustic wave(SAW) device.We put forward the two-step g...; 关键词：AIN薄膜溅射制备氮化铝薄膜质量磁控射频表面粗糙度表面声波

常温低氮氩比下(002)择优取向氮化铝薄膜的制备: 《四川大学学报（自然科学版）》2011年第6期1386-1390,共5页孙化冬彭冬香张伟张立东刘望汪渊; 国家自然科学基金(50771069;50871083);四川省科技支撑计划基金(2008FZ0002);教育部新世纪人才基金(NCET-08-0380); 常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出(002)单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜,通过XRD分析发现溅射功率为80W、溅射气压为0.20 Pa、氮气与氩气比为5%时,氮化铝(002)晶体衍射峰最强,通过FESEM表面及截面分析表明在此条件...; 关键词：AIN薄膜射频反应磁控溅射择优取向沉积速率

衬底温度对AlN薄膜结构及电阻率的影响被引量：1: 《压电与声光》2011年第3期475-478,共4页薛守迪杨成韬解群眺毛世平; "九七三"计划基金资助项目(51363Z04); 采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AlN(002)择优取向...; 关键词：AIN薄膜衬底温度 XRD 原子力显微镜(AFM)

Cr掺杂AlN薄膜的结晶结构和磁性能: 《金属功能材料》2007年第5期47-48,共2页; 关键词：CR掺杂磁性能 AIN薄膜结晶结构 ALN薄膜磁控溅射法日本大阪大学

AlN薄膜覆Al基板的物理特性被引量：3: 《电子元件与材料》2007年第10期54-56,共3页李华平柴广跃彭文达刘文牛憨笨; 利用磁控溅射系统在6061铝材上制备了3μm的AlN薄膜。XRD、椭偏测试及耐压测试结果表明,AlN膜为具有良好取向的多晶薄膜,击穿电压高达100V/μm。利用自动划痕仪对AlN膜进行剥离实验,临界载荷为6N左右。AlN和铝基体间的结合主要是物理吸...; 关键词：无机非金属材料 AIN薄膜 LED封装有限元法

氨化时间和膜厚对Si(Ⅲ)上AIN薄膜生长取向的影响: 《山东师范大学学报（自然科学版）》2007年第3期52-54,共3页胡丽君庄惠照薛成山薛守斌张士英李保理; 国家自然科学基金资助项目(90301002;90201025); 采用磁控溅射技术在Si(Ⅲ)衬底上沉积了Al膜,在高温炉中使之与氨气反应制备AlN薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等研究了薄膜的结构、成分以及表面形貌.结果表明不同氨气作用时间会使薄膜表现出不同的择优生长取向,同时...; 关键词：磁控溅射择优取向 AIN

潘宁放电溅射沉积纳米级AlN薄膜的性质: 《真空》2006年第2期32-35,共4页李慧玉施芸城闫永辉杨平冯贤平; 上海市科学技术发展基金项目(No.0252nm110);教育部科学技术研究重点项目(No.03077);波多黎各大学启动基金; 设计并制造了新的潘宁型等离子体源实验装置,分析了等离子体的发射光谱和产生A lN的动力学机理。在室温条件下,纯氮气的工作环境中用潘宁放电离子源溅射的方法,在S i(100)衬底上制备了纳米级的光滑平整A lN薄膜。本文用扫描电镜(SEM),...; 关键词：潘宁放电溅射 AIN薄膜

氮化铝薄膜的光学性能被引量：11: 《光子学报》2006年第2期221-223,共3页颜国君陈光德邱复生 Zhaoyan Fan; 分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与...; 关键词：AIN薄膜透射谱吸收谱禁带带宽自由激子

MgO(111)上NbN和AlN薄膜的生长研究被引量：5: 《低温物理学报》2005年第3期207-210,共4页陈亚军康琳蔡卫星施建荣赵少奇吉争鸣吴培亨; 在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了支持作为上电极的NbN薄膜的生长,也...; 关键词：NbN AIN 磁控溅射 XRD C轴取向 NbN薄膜 AIN薄膜生长研究单晶结构制备研究直流溅射法工艺过程工艺条件溅射设备

基于NbN,AlN技术的体声波器件研究被引量：1: 《低温物理学报》2005年第3期283-288,共6页谢仁艿康琳陈亚军韦戌吴培亨; 国家"863"计划(项目编号:2002AA306431);自然科学基金(项目编号:No.20030001)资助课题.~~; 体声波滤波器由于其低插损、小尺寸、高带外抑制等特性,随着第三代移动通信以及蓝牙技术的发展而得到广泛研究,而MEMS技术和压电薄膜制备技术的进一步发展使高性能的体声波滤波器制作成为可能.我们以单晶MgO作为器件衬底,MgO/NbN多层结...; 关键词：体声波谐振器薄膜 AIN薄膜体声波器件 NbN薄膜蓝牙技术第三代移动通信 MEMS技术多层结构压电薄膜三层结构

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